您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

PMGD280UN/T0663A04111

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMGD280UN/T0663A04111
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
NXP
SOT363
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： PMGD290UCEAX PMGD290XN,115 PMGD370XN,115 PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD8000LN,115 PMH0603-100 PMH0603-100-RC PMH0603-300

PMGD280UN/T0663A04111 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMGD280UN/T0663A04111 技术参数

PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:870mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD175XNEX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:870mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:81pF @ 15V 功率 - 最大值:260mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD175XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:75pF @ 15V 功率 - 最大值:390mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMGD130UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:390mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMG85XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:560pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375mW（Ta），2.4W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:115 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSSOP 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 标准包装:1 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V