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PSMN057-200P,127

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • NXP

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • 原厂品牌

  • 标准封装

  • 09/10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT78

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 200V 39A...

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN057-200P,127
    PSMN057-200P,127

    PSMN057-200P,127

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1000

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 1710

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共19条 
  • 1
PSMN057-200P,127 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET TRENCH-200
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN057-200P,127 技术参数
  • PSMN057-200B,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):39A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):96nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3750pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 17A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN050-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):51 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):633pF @ 12V 功率 - 最大值:56W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 PSMN050-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):633pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN045-80YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):675pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN041-80YLX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1108pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):64W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30YLDX PSMN102-200Y,115 PSMN130-200D,118 PSMN165-200K,518 PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40YLDX PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLDX
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