PSMN1R4-30YLDX全国供应商【买卖IC网】PSMN1R4-30YLDX资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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价格
说明
操作

PSMN1R4-30YLDX
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
20455
NEXPERIA
SOT-669
22+
-
原装原厂现货

PSMN1R4-30YLDX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN1R4-30YLDX
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
11415
NXP SEMIC
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

PSMN1R4-30YLDX
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT669
刚到货
-
代理可含税开票

PSMN1R4-30YLDX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 100A...

PSMN1R4-30YLDX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
NEXPERIA/安世
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PSMN1R4-30YLDX
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
26000
NEXPERIA
SOT-669
23+
-
原厂原装正品现货

PSMN1R4-30YLDX
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
30000
Nexperia
19+
-
优势库存，实单来谈！

PSMN1R4-30YLDX
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
17+
-
全新原装现货

PSMN1R4-30YLDX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEXPERIA
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN1R4-30YLDX
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
22+
2500
SOT-23-6
-
进口原装现货支持实单价优

PSMN1R4-30YLDX
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原装正品

PSMN1R4-30YLDX
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1500
NEXPERIA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
54.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3840pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
166W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.42 毫欧 @ 25A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
标准包装
1

PSMN1R4-30YLDX 技术参数

PSMN1R3-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6227pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:121W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SOT-1023，4-LFPAK 标准包装:1 PSMN1R2-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:68nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4616pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.24 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R2-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:78nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5093pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:215W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.25 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R2-25YLDX 功能描述:PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4327pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:172W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 毫欧 @ 25A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:66nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4173pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:179W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R6-40YLC,115 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-60CLJ PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX

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