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PSMN1R2-25YLC,115

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 操作
  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 25V 100A...

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人:林先生

    电话:0755-8276920313538142003

    地址:深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质:营业执照

  • 6000

  • NEXPERIA

  • 原厂原装

  • 19+

  • -
  • 专营原装正品,价钱实惠,有现货,联系电话...

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1725+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEXPERIA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 11955

  • Nexperia USA Inc.

  • 17+

  • SC-100,SOT

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Philips Semiconducto

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

  • PSMN1R2-25YLC,115
    PSMN1R2-25YLC,115

    PSMN1R2-25YLC,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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PSMN1R2-25YLC,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 25V 1.3 mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN1R2-25YLC,115 技术参数
  • PSMN1R2-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):105nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6380pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):121W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK 标准包装:1 PSMN1R1-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):136nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9710pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN1R1-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):243nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):14850pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN1R1-30EL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):243nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):14850pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 PSMN1R1-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):83nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5287pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):215W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-40ES,127 PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-40YLC,115 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-60CLJ PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX
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