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参数资料
| 型号： | P4C1256L70PCLF |
| 厂商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | LOW POWER 32K x 8 STATIC CMOS RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | P4C1256L70PCLF |
P4C1256L
Page 7 of 11
Document #
SRAM121
REV E
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
Parameter
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to
Data Retention Time
Operation Recovery Time
Test Conditons
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
or V
IN
≤
0.2V
Min
2.0
0
t
RC
§
Typ.*
V
=
2.0V 3.0V
Max
V
=
2.0V 3.0V
Unit
10
15
600
900
V
μA
ns
ns
*T
A
= +25°C
§t
RC
= Read Cycle Time
This parameter is guaranteed but not tested.
DATA RETENTION WAVEFORM
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