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参数资料
| 型号： | P4C168L-35FSM |
| 厂商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 4K X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, PDFP20 |
| 封装： | DFP-20 |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | P4C168L-35FSM |
P4C168/P4C168L, P4C169, P4C170
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Document # SRAM107 REV E
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE
(V
CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(4)
Sym Parameter
-12
-15
-20
-25
-35
Unit
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
t
RC
Read Cycle Time
12
15
20
25
35
ns
t
AA
Address Access Time
12
15
20
25
35
ns
t
AC
§
Chip Enable Access Time
12
15
20
25
35
ns
t
AC
Chip Select Access Time
8
9
12
15
20
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
2
ns
t
LZ
Chip Enable to Output in Low Z
2
ns
t
HZ
Chip Disable to Output in High Z
7
8
9
10
15
ns
t
OE
Output Enable to Data Valid
8
10
12
15
ns
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z
0
ns
t
OHZ
Output Disable to Output in High Z
6
7
9
11
15
ns
t
RCS
Read Command Setup Time
0
ns
t
RCH
Read Command Hold Time
0
ns
t
PU
§
Chip Enable to Power Up Time
0
ns
t
PD
§
Chip Disable to Power Down Time
12
15
20
25
35
ns
Sym
Parameter
Test Condition
Min
Typ. *
V
CC=
Max
V
CC=
2.0V 3.0V 2.0V 3.0V Unit
V
DR
V
CC for Data Retention
2.0
V
I
CCDR
Data Retention Current (Military)
CE ≥ V
CC - 0.2V,
V
IN ≥ VCC - 0.2V,
or V
IN ≤ 0.2V
2
3
200
300
A
Data Retention Current (Commercial)
0.5
1.0
20
30
A
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
§
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C168L ONLY)
DATA RETENTION WAVEFORM
Notes:
4. Extended temperature operation guaranteed with 400 linear feet per
minute of air flow.
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