型号: | P4KE250C-E3/23 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 90K |
代理商: | P4KE250C-E3/23 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P4KE6.8CA-E3/23 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
P4KE62CA-E3/4 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
P4KE20A-HE3/54 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
P4KE39C-HE3/54 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
P4KE22CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P4KE250C-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W, 250V,Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P4KE250C-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P4KE250C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 214V 400W 2-Pin DO-41 T/R |
P4KE250-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 250V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P4KE250-E3/23 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 250V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |