型号: | P6SMBJ100C |
厂商: | Surge Components, Inc. |
英文描述: | SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-5.0-170Volts |
中文描述: | 表面贴装瞬态电压抑制电压- 5.0 - 170Volts |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 218K |
代理商: | P6SMBJ100C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
P6SMBJ180-T/R | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ13C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ18A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ220CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ33C-T/R | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
P6SMBJ100CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85.5Vso 95Vbr 4.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ100CA-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
P6SMBJ10A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.55Vso 9.5Vbr 41A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ10A-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
P6SMBJ10C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.1Vso 9Vbr 40A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |