型号: | P6SMBJ180-T/R |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 140K |
代理商: | P6SMBJ180-T/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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P6SMBJ13C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ18A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ220CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ33C-T/R | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ6.0A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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P6SMBJ18A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 15.3Vso 17.1Vbr 24A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ18C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 14.5Vso 16.2Vbr 23A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ18CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 15.3Vso 17.1Vbr 24A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ20 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16.2Vso 18Vbr 21A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ200 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 162Vso 180Vbr 2.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |