型号: | P6SMBJ510CA |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 502K |
代理商: | P6SMBJ510CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
P6SMBJ530CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ550A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P6SMBJ8.2A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
P74FCT138ATD | FCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP16 |
P74FCT139CTD | FCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP16 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
P6SMBJ51A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 43.6Vso 48.5Vbr 8.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ51C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 38.1Vso 42.3Vbr 8.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 40.2Vso 44.7Vbr 9.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ530 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
P6SMBJ530A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 477Vso 503.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |