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参数资料
| 型号： | P6SMBJ550A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | P6SMBJ550A |
Silicon Avalanche Diodes
269
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
P6SMBJ Series
600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
Package Outline Dimensions and Pad Layout
2.16
2.74
2.16
2.26
Solder Pads
All dimensions in mm
RoHS
OBSOLETE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P6SMBJ8.2A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| P74FCT138ATD | FCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP16 |
| P74FCT139CTD | FCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP16 |
| P74FCT139TL | FCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20 |
| P80C52X2BN | 8-BIT, MROM, 33 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P6SMBJ550C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 495Vso 522.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMBJ550CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 495Vso 522.5Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMBJ56 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 45.4Vso 50.4Vbr 7.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMBJ56A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 47.8Vso 53.2Vbr 7.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| P6SMBJ56C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 47.8Vso 53.2Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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