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参数资料
| 型号： | P89V664FA,512 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 10/90页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 80C51 MCU FLASH 64K 44-PLCC |
| 产品培训模块： | Migrating from 8/16-Bit MCUs to 32-Bit ARMs |
| 标准包装： | 26 |
| 系列： | 89V |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 36 |
| 程序存储器容量： | 64KB（64K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-LCC（J 形引线） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 706 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | 622-1001-ND - USB IN-CIRCUIT PROG 80C51ISP |
| 其它名称： | 568-2436-5 935280834512 P89V664FA |
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P89V660_662_664
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3.1 — 17 October 2011
18 of 90
NXP Semiconductors
P89V660/662/664
80C51 with 512 B/1 kB/2 kB RAM, dual I2C-bus, SPI
6.3 Flash memory
6.3.1 Flash organization
The P89V660/662/664 program memory consists of a 16/32/64 kB block for user code.
The flash can be read or written in bytes and can be erased in 128 pages. A chip erase
function will erase the entire user code memory and its associated security bits. There are
three methods of erasing or programming the flash memory that may be used. First, the
flash may be programmed or erased in the end-user application by calling LOW-state
routines through a common IAP entry point. Second, the on-chip ISP bootloader may be
invoked. This ISP bootloader will, in turn, call LOW-state routines through the same
common entry point that can be used by the end-user application. Third, the flash may be
programmed or erased using the parallel method by using a commercially available
EPROM programmer which supports this device.
6.3.2 Features
Flash internal program memory with 128-byte page erase.
Internal Boot block, containing LOW-state IAP routines available to user code.
Boot vector allows user-provided flash loader code to reside anywhere in the flash
memory space, providing flexibility to the user.
Default loader providing ISP via the serial port, located in upper end of program
memory.
Programming and erase over the full operating voltage range.
Read/Programming/Erase using ISP/IAP.
Programming with industry-standard commercial programmers.
10000 typical erase/program cycles for each byte.
100 year minimum data retention.
Fig 6.
Power-on reset circuit
002aaa543
VDD
8.2 k
Ω
RST
XTAL2
XTAL1
C1
C2
10
μF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VJ1825A562JBCAT4X | CAP CER 5600PF 200V 5% NP0 1825 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| P89V664FBC | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:8-bit 80C51 5 V low power 16 kB/32 kB/64 kB flash microcontroller with 512 B/1 kB/2 kB RAM, dual I2C-bus, SPI |
| P89V664FBC,557 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 80C51 64K FL / 2K RM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| P89V664FBC557 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:IC 8BIT MCU 80C51 40MHZ TQFP-44 |
| P8-A000001 | 制造商:OTTO Engineering Inc 功能描述:P8-A141313 EXCEPT |
| P8-A000003 | 制造商:OTTO Engineering Inc 功能描述:P8-A121213 WITH |
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