参数资料
型号: PBTR2045CTB
厂商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: CONNECTOR
中文描述: 连接器
文件页数: 5/6页
文件大小: 42K
代理商: PBTR2045CTB
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
PBYR2045CT, PBYR2045CTB series
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.8. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.9. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
October 1998
5
Rev 1.400
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PDF描述
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参数描述
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PBTR60 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:FAST RECOVERY MINIBRIDGE 200 NANOSECOND RECOVERY 17 AMPERE THREE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING
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PBU1001 功能描述:桥式整流器 BRIDGE IN-LINE RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
PBU1002 功能描述:桥式整流器 BRIDGE IN-LINE RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube