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参数资料
| 型号： | PCF8570T/F5,512 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 12/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2KBIT 100KHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 64 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 100kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 568-3512-ND - DEMO BOARD UART TO I2C |
| 其它名称： | 935154920512 PCF8570TD PCF8570TD-ND |
Philips Semiconductors
256 × 8-bit static low-voltage RAM with
I 2 C-bus interface
Product speci?cation
PCF8570
13.2
Slave address
The PCF8570 has a fixed combination 1 0 1 0 as group 1, while group 2 is fully programmable (see Fig.12).
1
handbook, halfpage
0
1
0
A2
A1
A0 R/W
group 1
group 2
MLB892
Fig.12 Slave address.
13.3
Power-saving mode
With the condition TEST = V DD or V DDR the PCF8570 goes into the power-saving mode and I 2 C-bus logic is reset.
handbook, full pagewidth
TEST
power saving
mode (1)
TEST = VDDR
operating mode
power saving
mode (2)
TEST = VDD
VDD
VDDR
0V
VDD
SCL
VDDR
0V
t SU (3)
t HD1 (3)
t SU (3)
t HD2 (3)
VDD
SDA
VDD
VDDR
0V
VDD
VDDR
0V
I DD
I DD
(1) Power-saving mode without 5 V supply voltage.
(2) Power-saving mode with 5 V supply voltage.
(3) t SU and t HD1 ≥ 4 μ s and t HD2 ≥ 50 μ s.
Fig.13 Timing for power-saving mode.
MLB932
I DDS
1999 Jan 06
12
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PDF描述 |
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