参数资料
型号: PD100MC0MP
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: PHOTODIODE IR 820NM SIDE LOOK
标准包装: 1
波长: 820nm
光谱范围: 400nm ~ 1100nm
响应时间: 10ns
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 暗(标准): 10nA
视角: 40°
工作温度: -30°C ~ 85°C
封装/外壳: 侧视图
其它名称: 425-1027-1
9.0 -0
PD100MC0MPx
Fig. 9 Reel Shape and Dimension
+0.3
2.0 ±0.5
13.0 ±0.2
1 8 0.0
11.4 ±1
NOTE: Unit: mm
Fig. 10 Product Insertion Direction
P u ll-o u t direction
Sheet No.: D1-A00201EN
9
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
PD100MC0MP1 功能描述:光电二极管 SMT Photodiode, 20 , 820nm, 1.5Kpcs (Top Mount) T&R RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
PD100MF0MP 功能描述:光电二极管 SMT Photodiode, 20 , 850nm, 2Kpcs (Side Mount) T&R RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
PD100MF0MP1 功能描述:光电二极管 SMT Photodiode, 20 , 850nm, 1.5Kpcs (Top Mount) T&R RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
PD100-P 制造商:Panduit Corp 功能描述:
PD100-Q 制造商:Panduit Corp 功能描述:Call vendor for pricing