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参数资料
| 型号： | PESD12VS1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD`-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.7V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | * |
NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
Description
cathode
Simplified outline
Graphic symbol
2
anode
1
2
1
2
sym035
Transparent
top view
[1]
The marking bar indicates the cathode.
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
4. Marking
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
leadless ultra small plastic package; 2 terminals; SOD882
body 1.0 ? 0.6 ? 0.5 mm
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
Marking code
G1
G2
G3
G4
G5
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMCF2512JT1K30 | RES TF 1.3K OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT1K10 | RES TF 1.1K OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT16R0 | RES TF 16 OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT130R | RES TF 130 OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT110R | RES TF 110 OHM 5% 1W 2512 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD12VS1ULD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD UNID 12V 150W SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, UNID, 12V, 150W, SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, UNID, 12V, 150W, SOD882D; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:12V; Breakdown Voltage Min:14.7V; Breakdown Voltage Max:15.3V; Clamping Voltage Vc Max:35V; Peak Pulse Current Ippm:5A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD12VS1ULD,315 | 功能描述:ESD 抑制器 15.3 V 75 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD12VS1ULD315 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD12VS2UAT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-23 |
| PESD12VS2UAT T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 12V DUAL ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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