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参数资料
| 型号： | PESD12VS1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD`-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.7V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | * |
NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
001aaa726
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ? C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa727
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa728
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD3V3S1UL; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S1UL; V RWM = 5.0 V
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD12VS1UL; V RWM = 12 V
(2) PESD15VS1UL; V RWM = 15 V
(3) PESD24VS1UL; V RWM = 24 V
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMCF2512JT1K30 | RES TF 1.3K OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT1K10 | RES TF 1.1K OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT16R0 | RES TF 16 OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT130R | RES TF 130 OHM 5% 1W 2512 |
| RMCF2512JT110R | RES TF 110 OHM 5% 1W 2512 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD12VS1ULD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD UNID 12V 150W SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, UNID, 12V, 150W, SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, UNID, 12V, 150W, SOD882D; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:12V; Breakdown Voltage Min:14.7V; Breakdown Voltage Max:15.3V; Clamping Voltage Vc Max:35V; Peak Pulse Current Ippm:5A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD12VS1ULD,315 | 功能描述:ESD 抑制器 15.3 V 75 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD12VS1ULD315 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD12VS2UAT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-23 |
| PESD12VS2UAT T/R | 功能描述:TVS二极管阵列 12V DUAL ESD PROTECT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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