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参数资料
型号： PESD3V3L4UW,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 8/17页
文件大小： 0K
描述： DIODE QUAD ESD PROTECTION SOT665
标准包装： 1
电压 - 反向隔离（标准值）： 3.3V
电压 - 击穿： 5.32V
功率（瓦特）： 30W
电极标记： 4 通道阵列 - 单向
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-665
供应商设备封装： SOT-665
包装： 标准包装
其它名称： 568-7339-6
NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
+
? I RM
? I R
V
P-N
? I PP
006aaa407
Fig 7. V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESDXL4UF_G_W_4
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
8 of 17
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PDF描述
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参数描述
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PESD3V3L5UF115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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PESD3V3L5UK,132 功能描述:TVS二极管阵列 Unidirectional 9.5V 3.2A RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
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