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参数资料
| 型号： | PESD3V3S2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 330W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
ORDERING INFORMATION
TYPE NUMBER
PACKAGE
Product data sheet
PESDxS2UT series
NAME
DESCRIPTION
VERSION
PESD3V3S2UT
?
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
P pp
peak pulse power
8/20 μ s pulse; notes 1 and 2
I pp
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
peak pulse current
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
8/20 μ s pulse; notes 1 and 2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
operating ambient temperature
storage temperature
?
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20μ μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
2. Measured across either pins 1 and 3 or pins 2 and 3.
2004 Apr 15
3
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