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参数资料
| 型号： | PESD3V3S2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 330W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
Product data sheet
PESDxS2UT series
10
I R
I R(25?C)
1
(1)
001aaa270
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
(1) PESD3V3S2UT; V RWM = 3.3 V.
PESD5V2S2UT; V RWM = 5 V.
I R is less than 10 nA at 150 ° C for:
PESD12V52UT; V RWM = 12 V.
PESD15VS2UT; V RWM = 15 V.
PESD24VS2UT; V RWM = 24 V.
Fig.8
Relative variation of reverse leakage
current as a function of junction
temperature; typical values.
2004 Apr 15
8
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