参数资料
| 型号： | PESD3V3S5UD,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY ESD 3.3V 6-TSOP |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
Rev. 02 — 7 December 2006
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Fivefold ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode arrays in a SOT457 (SC-74) small
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect up to ?ve signal lines
from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features
I
I
I
I
ESD protection of up to ?ve lines
Max. peak pulse power: P PP = 200 W
Ultra low leakage current: I RM = 50 pA
Low clamping voltage: V CL = 12 V at
I ESD protection up to 30 kV
I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I IEC 61000-4-5 (surge); I PP up to 20 A
I PP = 20 A
1.3 Applications
I Computers and peripherals
I Audio and video equipment
I Cellular handsets and accessories
I Communication systems
I Portable electronics
I Subscriber Identity Module (SIM) card
protection
1.4 Quick reference data
Table 1.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RV1206JR-071ML | RES 1M OHM 5% 1206 TF |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3U1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 12VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.4A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:5.3pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3U1UA | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UA,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD3V3U1UB | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UB,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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