参数资料
| 型号： | PESD3V3S5UD,125 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY ESD 3.3V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.3V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 5 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 μ s
[1][2]
-
200
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
[1][2]
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
20
20
10
6
4
A
A
A
A
A
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to 2.
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
(contact discharge)
PESD3V3S5UD
PESD5V0S5UD
PESD12VS5UD
PESD15VS5UD
PESD24VS5UD
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS5UD series
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to 2.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
PESDXS5UD_SER_2
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 10 kV
? NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 December 2006
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD3V3S5UD,115 | DIODE ARRAY ESD 3.3V 6-TSOP |
| RV1206JR-071ML | RES 1M OHM 5% 1206 TF |
| SR1S14BM474X | VARISTOR 14VRMS W/RFI SUPP RAD |
| ESQ-105-34-S-D | CONN RCPT 10POS .100" DUAL GOLD |
| V18AUMLA2220A | VARISTOR MULTI AUTO 18V SMD 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3U1BCSFYL | 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 12VC DSN0603-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.4A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:5.3pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 标准包装:1 |
| PESD3V3U1UA | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UA,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD3V3U1UB | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UB,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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