- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录241 > PESD3V3U1UA,115 (NXP Semiconductors)DIODE ESD PROT UNI 3.3V SOD323-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PESD3V3U1UA,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT UNI 3.3V SOD323-2 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 4.5V |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4667-6 |
NXP Semiconductors
PESD3V3U1UA/UB/UL
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
T j
T amb
T stg
Parameter
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
Conditions
Min
-
? 55
? 65
Max
150
+150
+150
Unit
° C
° C
° C
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
-
9
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
10
kV
body model)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
I PP
100 %
90 %
10 %
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
Fig 1.
ESD pulse waveform according to IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2008
3 of 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD3V3X1BL,315 | DIODE ESD PROT ULOW BIDIR SOD882 |
| PESD5V0F1BL,315 | DIODE FEMTOFARAD BI ESD SOD882 |
| PESD5V0L1BSF,315 | DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 |
| PESD5V0L1UB,115 | DIODE ESD PROT LOW UNIDIR SOD523 |
| PESD5V0L1ULD,315 | DIODE ESD PROT LOW UNIDIR SOD882 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3U1UB | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UB,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD3V3U1UB115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD PROTECTION DIODE SOD-523- 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ((NW)) |
| PESD3V3U1UL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
| PESD3V3U1UL,315 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD 1L ULTRA LO CD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。