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参数资料
| 型号： | PESD3V3U1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT UNI 3.3V SOD-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 4.5V |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4669-6 |
NXP Semiconductors
PESD3V3U1UA/UB/UL
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
V RWM
I RM
V BR
C d
r dif
Parameter
reverse standoff voltage
reverse leakage current
breakdown voltage
diode capacitance
differential resistance
Conditions
V RWM = 3 V
I R = 5 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
I R = 5 mA
Min
-
-
4.5
-
-
Typ
-
1
5.6
2.6
-
Max
3.3
100
6.8
3.1
100
Unit
V
nA
V
pF
?
I
2.6
C d
(pF)
2.5
006aab356
2.4
2.3
2.2
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
0
1
2
3
4
5
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
006aaa407
Fig 2.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 3.
V-I characteristics for a unidirectional
voltage; typical values
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2008
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