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参数资料
| 型号： | PESD5V0L5UK,132 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE 5FOLD ESD PROTECT SOT891 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | * |
NXP Semiconductors
PESD3V3L5UK; PESD3V3L5UK
Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
-
-
-
-
3.3
5.0
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.0 V
-
-
0.4
0.08
2
0.5
μ A
μ A
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
C d
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
diode capacitance
f = 1 MHz;
5.3
6.47
5.6
6.8
5.9
7.14
V
V
V R = 0 V
V CL
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
clamping voltage
[1][2]
-
-
20
18.5
24
22
pF
pF
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
I PP = 3.1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
9.5
9.9
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
-
-
5
2.5
16
8
Ω
Ω
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
PESD3V3L5UK_PESD5V0L5UK
Product data sheet
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Rev. 1 — 25 August 2010
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