参数资料
型号: PESD5V0L5UV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/17页
文件大小: 0K
描述: DIODE ESD PROTECT 5FOLD SS Mini6
产品培训模块: ESD Standards and Products
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.4V
功率(瓦特): 25W
电极标记: 5 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 标准包装
产品目录页面: 1511 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-4800-6
NXP Semiconductors
PESDxL5UF/V/Y
Low capacitance unidirectional ?vefold ESD protection diode arrays
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1. 8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2. ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3L5UF
-
-
3.3
V
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
-
-
5.0
V
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
I RM
reverse leakage current
PESD3V3L5UF
V RWM = 3.3 V
-
75
300
nA
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
V RWM = 5.0 V
-
5
25
nA
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
PESD3V3L5UF
5.3
5.6
5.9
V
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
6.4
6.8
7.2
V
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
PESDXL5UF_V_Y_2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 January 2008
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