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参数资料
| 型号： | PESD5V0S1BSF,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 100W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-962 |
| 供应商设备封装： | SOD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7350-6 |
PESD5V0S1BSF
Ultra low profile bidirectional low capacitance
ESD protection diode
Rev. 2 — 18 February 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a
SOD962 leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) package designed to
protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features and benefits
? Pb-free, Restriction of Hazardous Substances (RoHS) compliant and free of halogen
and antimony (Dark Green compliant)
? Bidirectional ESD protection of one line
? Low diode capacitance C d = 35 pF
? ESD protection up to ? 30 kV according IEC 61000-4-2
? Ultra small SMD package
? Symmetrical breakdown voltage
1.3 Applications
?
?
?
?
Cellular handsets and accessories
Portable electronics
Communication systems
Computers and peripherals
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
V RWM
Parameter
reverse standoff voltage
Conditions
Min
? 5
Typ
-
Max
5
Unit
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
25
35
45
pF
[1]
This parameter is guaranteed by design.
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PDF描述 |
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