参数资料
型号: PESD5V0S1UA,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/14页
文件大小: 0K
描述: DIODE ESD UNI-DIR 5.0V SOD323
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.2V
功率(瓦特): 890W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 标准包装
其它名称: 568-7351-6
NXP Semiconductors
PESD5V0S1UA; PESD12VS1UA
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
7. Characteristics
Table 10. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
-
-
-
-
5
12
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
V RWM = 5 V
V RWM = 12 V
-
-
0.3
<1
4
100
μ A
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
C d
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
diode capacitance
f = 1 MHz;
6.2
13.3
6.8
14.5
7.3
15.75
V
V
V R = 0 V
V CL
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
clamping voltage
-
-
480
160
530
180
pF
pF
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
I PP = 47 A
I PP = 25 A
I PP = 5 A
I PP = 22.5 A
I PP = 15 A
I PP = 5 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19
13.5
9.8
27
23.5
19
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
PESD5V0S1UA
PESD12VS1UA
-
-
2
5
100
100
?
?
PESD5V0S1UA_PESD12VS1UA_1
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 9 February 2009
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