参数资料
| 型号： | PESD5V0S1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4802-6 |
NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 ? s
-
150
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 ? s
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
-
-
-
-
15
15
5
5
3
A
A
A
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
? C
? C
? C
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
V ESD
Parameter
electrostatic discharge voltage
Conditions
IEC 61000-4-2
Min
Max
Unit
(contact discharge)
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
PESDxS1UL series
MIL-STD-883
-
10
kV
(human body model)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
3 of 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68685-417LF | CONN RCPT 17POS .100" SNG ROW |
| PESD3V3U1UL,315 | DIODE ESD PROT UNI 3.3V SOD-882 |
| 953220-2000-AR-TP | CONN SOCKET 20POS 2MM VERT SMD |
| 929842-01-08-30 | CONN RCPT 16POS DL STR .1" GO |
| 956220-2720-AR-PR | CONN SOCKET 20POS 2MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0S1ULD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE UNIDIR ESD 5V SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, UNIDIR, ESD, 5V, SOD882D |
| PESD5V0S1ULD,315 | 功能描述:ESD 抑制器 7.2 V 200 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| PESD5V0S1USF,315 | 功能描述:DIODE ESD PROTECTION SOD962 RoHS:是 类别:未定义的类别 >> 其它 系列:* 标准包装:1 系列:* 其它名称:MS305720A |
| PESD5V0S1USF315 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD5V0S2BQAZ | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 11.5VC DFN1010D-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.5A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010D-3 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。