参数资料
| 型号： | PESD5V0S1UL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECTION SOD-882 |
| 产品培训模块： | ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 150W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1511 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4802-6 |
NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
001aaa726
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
t p ( μ s)
10 3
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ? C
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
240
C d
(pF)
200
160
120
(1)
(2)
001aaa727
50
C d
(pF)
40
30
20
(1)
001aaa728
(2)
80
40
10
0
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD3V3S1UL; V RWM = 3.3 V
(2) PESD5V0S1UL; V RWM = 5.0 V
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
(1) PESD12VS1UL; V RWM = 12 V
(2) PESD15VS1UL; V RWM = 15 V
(3) PESD24VS1UL; V RWM = 24 V
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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参数描述 |
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