- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录241 > PESD5V0V1BSF,315 (NXP Semiconductors)DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PESD5V0V1BSF,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 8W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-962 |
| 供应商设备封装： | SOD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7360-6 |
PESD5V0V1BSF
Ultra low profile bidirectional very low capacitance
ESD protection diode
Rev. 2 — 17 February 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Very low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in
a SOD962 leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) package designed to
protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features and benefits
Pb-free, Restriction of Hazardous Substances (RoHS) compliant and free of halogen
and antimony (Dark Green compliant)
Bidirectional ESD protection of one line
Very low diode capacitance C d = 3.5 pF
ESD protection up to ± 15 kV according to IEC 61000-4-2
Ultra small SMD package
Symmetrical breakdown voltage
1.3 Applications
Cellular handsets and accessories
Portable electronics
Communication systems
Computers and peripherals
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
V RWM
Parameter
reverse standoff voltage
Conditions
Min
? 5
Typ
-
Max
5
Unit
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
2.5
3.5
4.5
pF
[1]
This parameter is guaranteed by design.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PESD5V0X1BL,315 | DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882 |
| PESD5V0X1BQ,115 | DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOT-663 |
| PESD5V0X1UAB,115 | DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD523 |
| PESD5V0X1UALD,315 | DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882 |
| PESD5V0X1UB,135 | DIODE ESD ULT LOW CAP UNI SOD523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5V0V1USF,315 | 功能描述:DIODE ESD PROTECTION SOD962 RoHS:是 类别:未定义的类别 >> 其它 系列:* 标准包装:1 系列:* 其它名称:MS305720A |
| PESD5V0V1USF315 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD5V0V2BMBYL | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:DFN1006B-3 标准包装:1 |
| PESD5V0V2BMYL | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1 |
| PESD5V0V4UF | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。