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参数资料
| 型号： | PESD5V0V1BSF,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE BIDIR ESD PROT SOD962 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 8W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-962 |
| 供应商设备封装： | SOD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7360-6 |
NXP Semiconductors
Table 6.
PESD5V0V1BSF
Bidirectional very low capacitance ESD protection diode
ESD maximum ratings
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
15
kV
discharge voltage
(contact discharge)
IEC 61000-4-2
-
15
kV
(air discharge)
MIL-STD-883
-
15
kV
(human body model)
[1]
[2]
Measured from pin 1 to pin 2.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
PESD5V0V1BSF
Product data sheet
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Rev. 2 — 17 February 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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