参数资料
| 型号： | PESD5Z6.0,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT UNI SOD-523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 6V |
| 电压 - 击穿： | 6.8V |
| 功率（瓦特）： | 180W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Table 7.
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
ESD maximum ratings
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
PESD5Zx series
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
(contact discharge)
machine model
MIL-STD-883 (human
-
-
400
10
V
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 to 2.
Table 8.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1. 8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
PESD5ZX_SER_2
Fig 2. ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
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参数描述 |
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| PESD5Z7.0 T/R | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5Z7.0,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5Z7.0115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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