参数资料
| 型号： | PESD5Z6.0,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT UNI SOD-523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 6V |
| 电压 - 击穿： | 6.8V |
| 功率（瓦特）： | 180W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
Table 9. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V CL
clamping voltage
[1][2]
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
I PP = 20 A
I PP = 20 A
I PP = 10 A
I PP = 10 A
I PP = 10 A
I PP = 6 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
18
18
18
19
35
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
10
15
15
15
40
?
?
?
?
?
?
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2.
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
(1)
(2)
006aab056
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
0.4
10
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
(1) PESD5Z2.5; PESD5Z3.3
(2) PESD5Z5.0; PESD5Z6.0; PESD5Z7.0; PESD5Z12
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
PESD5ZX_SER_2
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
6 of 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68685-316 | CONN RCPT 16POS .100" SNG ROW |
| 90099-318LF | CONN RCPT 18POS .100" SNG ROW |
| PESD5Z3.3,115 | DIODE ESD PROTECT UNI SOD523 |
| 90099-318 | CONN RCPT 18POS .100" SNG ROW |
| 68685-212LF | CONN RCPT 12POS .100" SNG ROW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD5Z7.0 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 7V 260W SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 7V, 260W, SOD523 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 7V, 260W, SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:7V; Breakdown Voltage Max:7.5V; Clamping Voltage Vc Max:19V; Peak Pulse Current Ippm:10A; Diode Case Style:SOD-523; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD5Z7.0 T/R | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5Z7.0,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PESD5Z7.0115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PESD5ZX | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。