参数资料
型号: PF08107B
文件页数: 8/44页
文件大小: 217K
代理商: PF08107B
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 8 of 44
Vapc vs Efficiency – Vdd Dependence
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
880 MHz Efficiency vs. Vapc
E
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vapc (V)
915 MHz Efficiency vs. Vapc
Po = 35 dBm,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
Po = 35 dBm,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
,
Vdd = 3.5 V
Vdd = 3.2 V
Vdd = 3.0 V
相关PDF资料
PDF描述
PF08107BP
PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PF08114B
PF08122B
PF08123B
相关代理商/技术参数
参数描述
PF08107BP 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
PF08109B 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
PF08109B-TB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PF08114B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
PF08122B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: