参数资料
型号: PF08107BP
文件页数: 19/44页
文件大小: 217K
代理商: PF08107BP
PF08107B
Rev.7, Dec. 2001, page 19 of 44
Pout vs Slope, AM-AM conversion
S
0
60
20
40
60
80
100
0
100
200
300
400
500
40
20
Pout (dBm)
0
20
40
A
880 MHz AM/AM, Slope vs. Pout
S
0
60
20
40
60
80
100
0
100
200
300
400
500
40
20
Pout (dBm)
0
20
40
A
915 MHz AM/AM, Slope vs. Pout
Vdd = 3.5 V,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
AM (%)
SLP (dB/V)
Vdd = 3.5 V,
Tc = 25
°
C,
Pin = 0 dBm,
Zg = Zl = 50
AM (%)
SLP (dB/V)
相关PDF资料
PDF描述
PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PF08114B
PF08122B
PF08123B
PF251 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts
相关代理商/技术参数
参数描述
PF08109B 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
PF08109B-TB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
PF08114B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
PF08122B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
PF08123B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: