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参数资料
| 型号： | PHB55N03LTA |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | PHB55N03LTA |
Philips Semiconductors
PHP55N03LTA series
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 2 August 2001
8 of 14
9397 750 08642
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 55 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ae69
0
15
30
45
60
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ae71
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 55 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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