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参数资料
| 型号： | PHD55N03LTA |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | PHD55N03LTA |
Philips Semiconductors
PHP55N03LTA series
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 2 August 2001
3 of 14
9397 750 08642
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Pder
Tmb (oC)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ae64
1
10
10
2
10
3
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP55N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶体管标准电平场效应管) |
| PHP5N20E | PowerMOS transistor |
| PHP5N40E | PowerMOS transistor |
| PHP60N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB60N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PHD55N03LTA,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| PHD55N04LT | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-252AA |
| PHD5N20E | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHD63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
| PHD63NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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