- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367941 > PHM30NQ10T (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS?? standard level FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PHM30NQ10T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | PHM30NQ10T |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003.
Printed in The Netherlands
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior
written consent of the copyright owner.
The information presented in this document does not form part of any quotation or
contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No
liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication
thereof does not convey nor imply any license under patent- or other industrial or
intellectual property rights.
Date of release: 11 September 2003
Document order number: 9397 750 11842
Contents
Philips Semiconductors
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
5
5.1
6
7
8
9
10
11
12
13
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN603S | TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二极管阵列三相位无刷d.c.马达驱动器) |
| PHN70308 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N沟道增强型TrenchMOS晶体管阵列) |
| PHP101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHU101NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP109 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P沟道增强型MOS晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PHM30NQ10T,518 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| PHM3925DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3925DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM4430DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM4430DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM5601 | 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:MOSFET MODULE Single 560A/150V |
| PHM5601_1 | 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:560A 150V |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。