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参数资料
| 型号： | PHM30NQ10T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | PHM30NQ10T |
Philips Semiconductors
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
8 of 13
9397 750 11842
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 20 V, 50 V, 80 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03al18
0
20
40
60
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03al20
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 20 V
50 V
80 V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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