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参数资料
| 型号： | PHN603S |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二极管阵列三相位无刷d.c.马达驱动器) |
| 中文描述： | 5.5 A, 25 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD |
| 封装： | PLASTIC, SO-24 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | PHN603S |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS/ Schottky diode array
Three phase brushless d.c. motor driver
PHN603S
Fig.13. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C
Fig.14. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.15. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.16. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
1
2
3
4
5
1uA
10uA
100uA
1mA
10mA
100mA
Sub-Threshold Conduction
typ
min
Drain current, ID (A)
Gate-source voltage, VGS (V)
Tj = 25 C
VDS = VGS
PHN603S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
0
5
10
15
20
25
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 1A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
PHN603S
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
PHN603S
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Drain-Source Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
VGS = 0 V
October 1998
5
Rev 1.000
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