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参数资料
| 型号： | PHP125N06LT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHP125N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
VDS / V
ID / A
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
1
10
100
1000
1
10
RDS(ON) = VDS/ID
DC
100
BUKX508-55
tp = 10 us
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
BUK9508-55
ID / A
RDS(ON) / mOhm
VGS / V =
3
3.2
3.4
3.6
4
5
10
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
100
Tj/C =
175
25
ID/A
VGS/V
0
2
6
8
10
0
20
40
60
80
100
VGS = 3.2 V
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
4.0
10
Drain current, ID (A)
Drain4
0
20
40
Drain current, ID (A)
60
80
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120Transconductance, gfs (S)
March 1998
4
Rev 1.400
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PDF描述 |
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