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参数资料
| 型号： | PHP65N06LT |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHP65N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP65N06LT, PHB65N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
VDS / V
ID / A
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
RDS(ON) = VDS/ID
DC
SOAX518
100
10
15
20
25
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95100
ID/A
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
3.6
4
4.2
4.4
4.6
5
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx55-lv
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C = 175
25
0
2
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
5
VGS = 4.0 V
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
Drain current, ID (A)
Drain-4
0
20
40
Drain current, ID (A)
60
80
100
0
10
20
30
40
50
60
Transconductance, gfs (S)
January 1998
4
Rev 1.300
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PDF描述 |
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