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参数资料
| 型号： | PIC12C509A-04I/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 76/113页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 1KX12 8DFN |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | PIC® 12C |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 1.5KB（1K x 12） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 41 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | AC164324-ND - MODULE SKT FOR MPLAB 8DFN/16QFN XLT08DFN2-ND - SOCKET TRANSITION ICE 14DIP/8DFN XLT08DFN-ND - SOCKET TRANSITION ICE 8DFN AC164032-ND - ADAPTER PICSTART PLUS 8DFN/DIP AC124001-ND - MODULE SKT PROMATEII 8DIP/SOIC |
| 其它名称： | PIC12C509A04I/MF |
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1999 Microchip Technology Inc.
DS40139E-page 65
PIC12C5XX
11.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - PIC12C508/PIC12C509
Absolute Maximum Ratings
Ambient Temperature under bias ........................................................................................................... –40°C to +125°C
Storage Temperature ............................................................................................................................. –65°C to +150°C
Voltage on VDD with respect to VSS .................................................................................................................0 to +7.5 V
Voltage on MCLR with respect to VSS...............................................................................................................0 to +14 V
Voltage on all other pins with respect to VSS ............................................................................... –0.6 V to (VDD + 0.6 V)
Total Power Dissipation(1) .................................................................................................................................... 700 mW
Max. Current out of VSS pin .................................................................................................................................. 200 mA
Max. Current into VDD pin ..................................................................................................................................... 150 mA
Input Clamp Current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
.................................................................................................................... ±20 mA
Output Clamp Current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
............................................................................................................. ±20 mA
Max. Output Current sunk by any I/O pin ................................................................................................................ 25 mA
Max. Output Current sourced by any I/O pin........................................................................................................... 25 mA
Max. Output Current sourced by I/O port (GPIO) ................................................................................................. 100 mA
Max. Output Current sunk by I/O port (GPIO )...................................................................................................... 100 mA
Note 1: Power Dissipation is calculated as follows: PDIS = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOL x IOL)
NOTICE: Stresses above those listed under "Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those
indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
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