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参数资料
型号： PIC16F688T-I/SL
厂商： Microchip Technology
文件页数： 60/204页
文件大小： 0K
描述： IC MCU PIC FLASH 4KX14 14SOIC
产品培训模块： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装： 2,600
系列： PIC® 16F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 20MHz
连通性： UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，POR，WDT
输入/输出数： 12
程序存储器容量： 7KB（4K x 14）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 8x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装： 带卷 (TR)
产品目录页面： 639 (CN2011-ZH PDF)
配用： XLT14SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 14SOIC 150/208
AC162061-ND - HEADER INTRFC MPLAB ICD2 20PIN
AC162056-ND - HEADER INTERFACE ICD2 16F688
其它名称： PIC16F688T-I/SL-ND
PIC16F688T-I/SLTR
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PIC16F688
DS41203E-page 150
2009 Microchip Technology Inc.
D100
IULP
Ultra Low-Power Wake-Up
Current
—
200
—
nA
See Application Note AN879,
“Using the Microchip Ultra
Low-Power Wake-up Module”
(DS00879)
Capacitive Loading Specs on
Output Pins
D101*
COSC2
OSC2 pin
—
15
pF
In XT, HS and LP modes when
external clock is used to drive
OSC1
D101A* CIO
All I/O pins
—
50
pF
Data EEPROM Memory
D120
ED
Byte Endurance
100K
1M
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
D120A
ED
Byte Endurance
10K
100K
—
E/W
+85°C
≤ TA ≤ +125°C
D121
VDRW
VDD for Read/Write
VMIN
—
5.5
V
Using EECON1 to read/write
VMIN = Minimum operating
voltage
D122
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
5
6
ms
D123
TRETD
Characteristic Retention
40
—
Year
Provided no other specifications
are violated
D124
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(4)
1M
10M
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
Program Flash Memory
D130
EP
Cell Endurance
10K
100K
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
D130A
ED
Cell Endurance
1K
10K
—
E/W
+85°C
≤ TA ≤ +125°C
D131
VPR
VDD for Read
VMIN
—5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132
VPEW
VDD for Erase/Write
4.5
—
5.5
V
D133
TPEW
Erase/Write cycle time
—
2
2.5
ms
D134
TRETD
Characteristic Retention
40
—
Year
Provided no other specifications
are violated
14.5
DC Characteristics:
PIC16F688 -I (Industrial)
PIC16F688 -E (Extended) (Continued)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only and are
not tested.
Note
1:
In RC oscillator configuration, the OSC1/CLKIN pin is a Schmitt Trigger input. It is not recommended to use an external
clock in RC mode.
2:
Negative current is defined as current sourced by the pin.
3:
The leakage current on the MCLR pin is strongly dependent on the applied voltage level. The specified levels represent
normal operating conditions. Higher leakage current may be measured at different input voltages.
4:
See Section 9.0 “Data EEPROM and Flash Program Memory Control” for additional information.
5:
Including OSC2 in CLKOUT mode.
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PDF描述
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PIC16F689-E/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 256 RAM 12 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16F689-E/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB FL 256R 18 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
PIC16F689-E/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB FL 256R 18 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
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