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参数资料
| 型号： | PIC16F84AT-20E/SS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 47/81页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU CMOS 20MHZ 1K FLSH 20SSOP |
| 标准包装： | 1,600 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | POR，WDT |
| 输入/输出数： | 13 |
| 程序存储器容量： | 1.75KB（1K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 68 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | XLT20SS1-1-ND - SOCKET TRANSITION 20DIP 20SSOP |
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2001 Microchip Technology Inc.
DS35007B-page 49
PIC16F84A
9.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Ambient temperature under bias............................................................................................................ .-55
°C to +125°C
Storage temperature .............................................................................................................................. -65
°C to +150°C
Voltage on any pin with respect to VSS (except VDD, MCLR, and RA4) ......................................... -0.3V to (VDD + 0.3V)
Voltage on VDD with respect to VSS ........................................................................................................... -0.3 to +7.5V
Voltage on MCLR with respect to VSS(1) .......................................................................................................-0.3 to +14V
Voltage on RA4 with respect to VSS ........................................................................................................... -0.3 to +8.5V
Total power dissipation(2) ..................................................................................................................................... 800 mW
Maximum current out of VSS pin ...........................................................................................................................150 mA
Maximum current into VDD pin .............................................................................................................................. 100 mA
Input clamp current, IIK (VI < 0 or VI > VDD)
..................................................................................................................... ± 20 mA
Output clamp current, IOK (VO < 0 or VO > VDD)
............................................................................................................. ± 20 mA
Maximum output current sunk by any I/O pin..........................................................................................................25 mA
Maximum output current sourced by any I/O pin .................................................................................................... 25 mA
Maximum current sunk by PORTA ..........................................................................................................................80 mA
Maximum current sourced by PORTA..................................................................................................................... 50 mA
Maximum current sunk by PORTB........................................................................................................................ 150 mA
Maximum current sourced by PORTB .................................................................................................................. 100 mA
Note 1: Voltage spikes below VSS at the MCLR pin, inducing currents greater than 80 mA, may cause latch-up.
Thus, a series resistor of 50-100
should be used when applying a “low” level to the MCLR pin rather than
pulling this pin directly to VSS.
2: Power dissipation is calculated as follows: Pdis = VDD x {IDD -
∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL).
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above
those indicated in the operation listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC16F84AT-20E/SO | IC MCU CMOS 20MHZ 1K FLSH 18SOIC |
| 22-15-3133 | CONN FFC/FPC 13POS .100 RT ANG |
| PIC16F84AT-04E/SS | IC MCU CMOS 4MHZ 1K FLASH 20SSOP |
| 22-02-3133 | CONN FFC/FPC VERTICAL 13POS .100 |
| PIC16F84AT-04E/SO | IC MCU CMOS 4MHZ 1K FLASH 18SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC16F84AT-20I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 68 RAM 13 I/O 20MHz IndTemp SOIC18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F84AT-20I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 68 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F84T-04/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 68 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F84T-04I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 68 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16F84T-10/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.75KB 68 RAM 13 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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