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参数资料
| 型号： | PIC16LF1936-E/MV |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 77/196页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28UQFN |
| 标准包装： | 91 |
| 系列： | PIC® XLP™ 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 25 |
| 程序存储器容量： | 14KB（8K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 11x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 28-UFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
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168
8024A–AVR–04/08
ATmega8HVA/16HVA
Notes:
1. All DC Characteristics contained in this data sheet are based on simulation and characterization of other AVR microcontrol-
lers manufactured in the same process technology. These values are preliminary values representing design targets, and
will be updated after characterization of actual silicon.
2. Voltage Regulator performance is based on 220 nF fly capacitors and 2.2 F smooth capacitor.
3. After VREF calibration at a second temperature. By default the first calibration is performed at temperature T
HOT in Atmel
factory test. The value of THOT is stored in the signature row. The second calibration step can easily be implemented in a
standard test flow at room temperature.
4. The measured V
PTAT voltage must be scaled with the calibration value stored in the VPTAT Calibration Register to get the
absolute temperature. The specified value represents target accuracy after Atmel factory calibration. Accuracy can be fur-
ther improved by doing a system calibration measurement at a well-known temperature.
5. This value is not tested in production.
6. After software offset compensation, using the polarity switching (CADPOL) feature.
7. After scaling of VADC raw data using Gain and Offset Calibration values stored in Signature Row.
8. Actual offset for each channel stored in signature row can be used to remove this offset error.
9. If the cell input needs to be measured when PV1 is below 1.5V, Atmel can provide data that facilitates less accurate mea-
surements in this range.
10. Actual frequency measured at Atmel factory stored in signature row.
29.3
External Interrupt Characteristics
Coulomb
Counter
Reference Voltage
± 110
mV
Conversion Time
and Resolution(5)
26.9 V Resolution
3.9
ms
0.84 V Resolution
1000
ms
INL(5)
4LSB
CC-ADC Offset(5)(6)
2.5
± 15
LSB
Gain Error(3)
-100 mV < VPI - NI < 100 mV
± 0.1
± 1
%
Temperature
Sensor
V
PTAT, Voltage Proportional
to Absolute Temperature
0.67
mV/K
Absolute Accuracy(4)
Measured in Active mode
± 2
± 5
K
Slow RC
Oscillator(10)
Frequency
91
131
171
kHz
Frequency drift over
temperature(5)
1.5
%
Slow RC Frequency
predicion error(5)
1%
Ultra Low
Power RC
Oscillator(10)
Frequency
89
128
167
kHz
Frequency drift over
temperature(5)
6%
Table 29-1.
Electrical Characteristics
(1)(T
A = -10°C to 70°C unless otherwise specified) (Continued)
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Table 29-2.
Asynchronous External Interrupt Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
tINT
Minimum pulse width for asynchronous external
interrupt
50
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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