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参数资料
| 型号： | PIC16LF72T-I/SS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/136页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU FLASH 2KX14 LV AD 28-SSOP |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| 标准包装： | 2,100 |
| 系列： | PIC® 16F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，SPI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 22 |
| 程序存储器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 5x8b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页当前第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页
111
2535J–AVR–08/10
ATtiny13
Load EEPROM
Page Buffer
SDI
SII
SDO
0_00bb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_eeee_eeee_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1101_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Repeat Instr. 1 - 4 until the entire
page buffer is filled or until all data
within the page is filled. See Note
2.
Program
EEPROM Page
SDI
SII
SDO
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Wait after Instr. 2 until SDO goes
high. Repeat Instr. 1 - 2 for each
loaded EEPROM page until the
entire EEPROM or all data is
programmed.
Write EEPROM
Byte
SDI
SII
SDO
0_00bb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_eeee_eeee_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1101_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Repeat Instr. 1 - 5 for each new
address. Wait after Instr. 5 until
SDO goes high. See Note 3.
SDI
SII
SDO
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Instr. 5
Load “Read
EEPROM”
Command
SDI
SII
SDO
0_0000_0011_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Enter EEPROM Read mode.
Read EEPROM
Byte
SDI
SII
SDO
0_bbbb_bbbb_00
0_0000_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_aaaa_aaaa_00
0_0001_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
q_qqqq_qqq0_00
Repeat Instr. 1, 3 - 4 for each new
address. Repeat Instr. 2 for a new
256 byte page.
Write Fuse Low
Bits
SDI
SII
SDO
0_0100_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_A987_6543_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Wait after Instr. 4 until SDO goes
high. Write A - 3 = “0” to program
the Fuse bit.
Write Fuse High
Bits
SDI
SII
SDO
0_0100_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_000F_EDCB_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Wait after Instr. 4 until SDO goes
high. Write F - B = “0” to program
the Fuse bit.
Write Lock Bits
SDI
SII
SDO
0_0010_0000_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0021_00
0_0010_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_0100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
Wait after Instr. 4 until SDO goes
high. Write 2 - 1 = “0” to program
the Lock Bit.
Read Fuse Low
Bits
SDI
SII
SDO
0_0000_0100_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0110_1100_00
A_9876_543x_xx
Reading A - 3 = “0” means the
Fuse bit is programmed.
Read Fuse High
Bits
SDI
SII
SDO
0_0000_0100_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1010_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1110_00
x_xxFE_DCBx_xx
Reading F - B = “0” means the fuse
bit is programmed.
Read Lock Bits
SDI
SII
SDO
0_0000_0100_00
0_0100_1100_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1000_00
x_xxxx_xxxx_xx
0_0000_0000_00
0_0111_1100_00
x_xxxx_x21x_xx
Reading 2, 1 = “0” means the lock
bit is programmed.
Table 17-13. High-Voltage Serial Programming Instruction Set for ATtiny13 (Continued)
Instruction
Instruction Format
Operation Remarks
Instr.1/5
Instr.2/6
Instr.3
Instr.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC16CE623-04I/SS | IC MCU OTP 512X14 EE COMP 20SSOP |
| MRF01J-HRMJ | CONN ADAPTER MRF01 JACK-SMA JACK |
| VI-BTY-IX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W |
| HRMP-W.FLJ | RF CONN CONVERSION ADAPTER |
| VI-BTX-IY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PIC16LF737-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 368 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF737-I/SO | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 368 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF737-I/SP | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 368 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF737-I/SS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 368 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| PIC16LF737T-I/ML | 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB 368 RAM 25 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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