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参数资料
型号： PIC18F14K50T-I/SS
厂商： Microchip Technology
文件页数： 241/285页
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 8KX8 20-SSOP
视频文件： World's Lowest Power in Sleep MCU: nanoWatt XLP
标准包装： 1,600
系列： PIC® XLP™ 18F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 48MHz
连通性： I²C，SPI，UART/USART，USB
外围设备： 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 14
程序存储器容量： 16KB（8K x 16）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 768 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 11x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
包装： 带卷 (TR)
配用： AC244023-ND - PROC EXTENS PAK PIC18F1XK50
DV164126-ND - KIT DEVELOPMENT USB W/PICKIT 2
DM164127-ND - KIT DEVELOPMENT USB 18F14/13K50
AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP
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2010 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41350E-page 59
PIC18F1XK50/PIC18LF1XK50
EXAMPLE 4-3:
WRITING TO FLASH PROGRAM MEMORY (CONTINUED)
4.5.2
WRITE VERIFY
Depending on the application, good programming
practice may dictate that the value written to the
memory should be verified against the original value.
This should be used in applications where excessive
writes can stress bits near the specification limit.
4.5.3
UNEXPECTED TERMINATION OF
WRITE OPERATION
If a write is terminated by an unplanned event, such as
loss of power or an unexpected Reset, the memory
location just programmed should be verified and
reprogrammed if needed. If the write operation is
interrupted by a MCLR Reset or a WDT Time-out Reset
during normal operation, the WRERR bit will be set
which the user can check to decide whether a rewrite
of the location(s) is needed.
4.5.4
PROTECTION AGAINST
SPURIOUS WRITES
To protect against spurious writes to Flash program
memory, the write initiate sequence must also be
followed. See Section 24.0 “Special Features of the
CPU” for more detail.
4.6
Flash Program Operation During
Code Protection
See Section 24.3 “Program Verification and Code
Protection” for details on code protection of Flash
program memory.
TABLE 4-3:
REGISTERS ASSOCIATED WITH PROGRAM FLASH MEMORY
DECFSZ
COUNTER
; loop until holding registers are full
BRA
WRITE_WORD_TO_HREGS
PROGRAM_MEMORY
BSF
EECON1, EEPGD
; point to Flash program memory
BCF
EECON1, CFGS
; access Flash program memory
BSF
EECON1, WREN
; enable write to memory
BCF
INTCON, GIE
; disable interrupts
MOVLW
55h
Required
MOVWF
EECON2
; write 55h
Sequence
MOVLW
0AAh
MOVWF
EECON2
; write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; start program (CPU stall)
DCFSZ
COUNTER2
; repeat for remaining write blocks
BRA
WRITE_BYTE_TO_HREGS
;
BSF
INTCON, GIE
; re-enable interrupts
BCF
EECON1, WREN
; disable write to memory
Name
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Reset
Values on
page
TBLPTRU
—
bit 21
Program Memory Table Pointer Upper Byte (TBLPTR<20:16>)
285
TBPLTRH
Program Memory Table Pointer High Byte (TBLPTR<15:8>)
285
TBLPTRL Program Memory Table Pointer Low Byte (TBLPTR<7:0>)
285
TABLAT
Program Memory Table Latch
285
INTCON
GIE/GIEH PEIE/GIEL TMR0IE
INT0IE
RABIE
TMR0IF
INT0IF
RABIF
285
EECON2
EEPROM Control Register 2 (not a physical register)
287
EECON1
EEPGD
CFGS
—
FREE
WRERR
WREN
WR
RD
287
IPR2
OSCFIP
C1IP
C2IP
EEIP
BCLIP
USBIP
TMR3IP
—288
PIR2
OSCFIF
C1IF
C2IF
EEIF
BCLIF
USBIF
TMR3IF
—288
PIE2
OSCFIE
C1IE
C2IE
EEIE
BCLIE
USBIE
TMR3IE
—288
Legend: — = unimplemented, read as ‘0’. Shaded cells are not used during Flash/EEPROM access.
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PDF描述
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参数描述
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