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参数资料
型号： PIC18F44K20-E/PT
厂商： Microchip Technology
文件页数： 32/42页
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 8KX16 44-TQFP
产品培训模块： XLP Deep Sleep Mode
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
标准包装： 160
系列： PIC® XLP™ 18F
核心处理器： PIC
芯体尺寸： 8-位
速度： 48MHz
连通性： I²C，SPI，UART/USART
外围设备： 欠压检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT
输入/输出数： 35
程序存储器容量： 16KB（8K x 16）
程序存储器类型： 闪存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 768 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
数据转换器： A/D 14x10b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 125°C
封装/外壳： 44-TQFP
包装： 管件
产品目录页面： 643 (CN2011-ZH PDF)
配用： AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP
DM164124-ND - KIT STARTER FOR PIC18F4XK20
AC164305-ND - MODULE SKT FOR PM3 44TQFP
PIC18F2XK20/4XK20
DS41297F-page 38
Advance Information
2009 Microchip Technology Inc.
6.0
AC/DC CHARACTERISTICS TIMING REQUIREMENTS FOR PROGRAM/
VERIFY TEST MODE
Standard Operating Conditions
Operating Temperature: 25
°C is recommended
Param
No.
Sym.
Characteristic
Min.
Max.
Units
Conditions
D110
VIHH
High-Voltage Programming Voltage on
MCLR/VPP/RE3
VDD + 4.5
9
V
D110A VIHL
Low-Voltage Programming Voltage on
MCLR/VPP/RE3
1.80
3.60
V
D111
VDD
Supply Voltage During Programming
1.80
3.60
V
Row Erase/Write
2.7
3.60
V
Bulk Erase operations
D112
IPP
Programming Current on MCLR/VPP/RE3
—
300
μA
D113
IDDP
Supply Current During Programming
—
10
mA
D031
VIL
Input Low Voltage
VSS
0.2 VDD
V
D041
VIH
Input High Voltage
0.8 VDD
VDD
V
D080
VOL
Output Low Voltage
—
0.6
V
IOL = X.X mA @ 2.7V
D090
VOH
Output High Voltage
VDD – 0.7
—
V
IOH = -Y.Y mA @ 2.7V
D012
CIO
Capacitive Loading on I/O pin (PGD)
—
50
pF
To meet AC specifications
P1
TR
MCLR/VPP/RE3 Rise Time to enter
Program/Verify mode
—1.0
μs
(Note 1)
P2
TPGC
Serial Clock (PGC) Period
100
—
ns
VDD = 3.6V
1
—
μs
VDD = 1.8V
P2A
TPGCL
Serial Clock (PGC) Low Time
40
—
ns
VDD = 3.6V
400
—
ns
VDD = 1.8V
P2B
TPGCH
Serial Clock (PGC) High Time
40
—
ns
VDD = 3.6V
400
—
ns
VDD = 1.8V
P3
TSET1
Input Data Setup Time to Serial Clock
↓
15
—
ns
P4
THLD1
Input Data Hold Time from PGC
↓
15
—
ns
P5
TDLY1
Delay between 4-bit Command and Command
Operand
40
—
ns
P5A
TDLY1A Delay between 4-bit Command Operand and next
4-bit Command
40
—
ns
P6
TDLY2
Delay between Last PGC
↓ of Command Byte to
First PGC
↑ of Read of Data Word
20
—
ns
P9
TDLY5
PGC High Time (minimum programming time)
1
—
ms
Externally Timed
P9A
TDLY5A PGC High Time
5
ms
Configuration Word
programming time
P10
TDLY6
PGC Low Time after Programming
(high-voltage discharge time)
200
—
μs
P11
TDLY7
Delay to allow Self-Timed Data Write or
Bulk Erase to occur
5—
ms
P11A
TDRWT
Data Write Polling Time
4
—
ms
Note 1:
Do not allow excess time when transitioning MCLR between VIL and VIHH; this can cause spurious program
executions to occur. The maximum transition time is:
1 TCY + TPWRT (if enabled) + 1024 TOSC (for LP, HS, HS/PLL and XT modes only) + 2 ms (for HS/PLL mode only)
+ 1.5
μs (for EC mode only) where TCY is the instruction cycle time, TPWRT is the Power-up Timer period and
TOSC is the oscillator period. For specific values, refer to the Electrical Characteristics section of the device data
sheet for the particular device.
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PDF描述
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参数描述
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PIC18F44K20-I/MV 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB FL 768b-RAM 8b Familynanowatt XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
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